A bipoláris tranzisztor (ezt a tranzisztortípust nevezik egyszerűen tranzisztornak) egy kisméretű monokristály darabon létrehozott két azonos, és közte egy vékony, ezzel ellentétes vezetési típusú rétegből áll. Minden réteg rezisztív érintkezővel van ellátva. A két lehetséges felépítés: p-n-p illetve n-p-n tranzisztor. Az n-p-n tranzisztort feszültségmentes állapotban az 1. ábra mutatja. Mindkét p-n átmenetnél hasonló kiürített réteg jön létre, mint a dióda esetében. 1. ELEKTRONIKA I. TRANZISZTOROK. BSc Mérnök Informatikus Szak Levelező tagozat - PDF Free Download. ábra: n-p-n tranzisztor feszültségmentes állapotban A tranzisztor elektródái az emitter (E), bázis (B), és a kollektor (C, magyar szövegben néha: K). Sokszor az emitter-bázis réteg között kialakult diódát "emitterdiódának", a kollektor-bázis réteg közötti diódát "kollektordiódának" nevezik. A tranzisztor működéséhez az szükséges, hogy emitterdiódája nyitó irányban, kollektordiódája záró irányban legyen előfeszítve (2. ábra). 2. ábra: n-p-n tranzisztor előfeszített állapotban A bázisra az emitterhez képest nyitó irányú feszültséget kapcsolnak.
Egyirányú eszköz: a kimenet megváltozása nem hat vissza a bemenetre. 3/13/2003 •Ha ARL/Rs > 1, Feszültségerősítést tudunk elérni, •Ha A > 1, a kimeneti áram nagyobb mint a bemeneti → áramerősítés •Az RL terhelőellenálláson disszipált teljesítmény nagyobb mint a bemenetre adott teljesítmény → a vezérelt forrással teljesítmény erősítést lehet elérni. 4/20 Az áramvezérelt forrás kapcsoló működése Fő jellemzője: a kimeneti karakterisztika. Iout Iout=A*Iin Iin Uout Paraméter: a bemeneti áram ideális áram forrás: a kimenő áram független a kimenő feszültségtől 3/13/2003 5/20 Az áramvezérelt forrás kapcsoló működése Fő jellemzője: a kimeneti karakterisztika. Paraméter: a bemeneti áram ideális áram forrás: a kimenő áram független a kimenő feszültségtől 3/13/2003 6/20 Az áramvezérelt forrás kapcsoló működése 3/13/2003 7/20 Az áramvezérelt forrás kapcsoló működése Fő jellemzője: a kimeneti karakterisztika. 5.2.1. A tranzisztor nyitóirányú karakterisztikája. Q2 Q1 3/13/2003 8/20 Az áramvezérelt forrás kapcsoló működése Q2, Q3 átengedő kapcsoló Q3 Q2 Q1 megszakított kapcsoló t=T1, I13 = i1 = Vs/Rs 3/13/2003 Q1 t=0, us=0 esetén i1= 0, a munkapont Q1 Ha azt akarjuk, hogy a kapcsolón eső feszültség nulla legyen, a vezérlő áramot I14 értékűre kell választani, mert csak a Q3 munkapont ad ideális nulla 9/20 kimenőfeszültséget.
Ez a tranzisztorhatás. A teljesítménykülönbséget a kollektorfeszültséget szolgáltató energiaforrás fedezi. Kapcsolási rajzon a tranzisztor jelölését a 3. ábra mutatja. n-p-n______________________p-n-p 3. ábra: Tranzisztor rajzjele A tranzisztor legjellegzetesebb karakterisztikái a bemenő (UBE - IE) és a kimenő (UCE - IC) karakterisztikák. A bemenő karakterisztika a bázis-emitter feszültség és a kialakuló emitteráram közötti kapcsolatot mutatja (4. ábra). Mivel a tranzisztor üzemelésekor a bázis-emitter dióda nyitóirányban van előfeszítve, ez nem más, mint egy dióda nyitóirányú karakterisztikája. 7.2.1. A tranzisztor nyitóirányú karakterisztikája. A valóságban a kollektor-emitter feszültség változása is befolyásolja az adott UBE feszültségnél kialakuló IE áramot (feszültségvisszahatás), mert hatására változik a lezárt kollektor-bázis határrétegnél kialakult kiürített réteg szélessége, amelynek bázis oldali része mintegy "levonódik" a nagyon keskeny bázisréteg szélességéből ("bázisszélesség moduláció"). Az így kialakuló feszültségvisszahatás azonban olyan csekély mértékű, hogy a további vizsgálatainkban elhanyagolhatónak tekintjük.
Ennek az az oka, hogy a kimerülési tartomány szélessége a kollektor emitter csomópontjában megnő. Ezt úgy hívják Korai hatás. Bemeneti karakterisztikus közös emitteres szilícium tranzisztor Közös emitteres szilícium tranzisztor kimeneti karakterisztikája CC (közös gyűjtő) CC vagy Common Collector módban a kollektort földelni kell, és a bemenetet az alapkollektorról kell vezetni, a kimenet pedig a kollektortól az emitterig történik. Az arány Én E /I B = I E /I C. I C /I B Vagy, én E /I B = β/α Tudjuk, hogy α= β (1-α) β = α β+ α I E =I B (1+ β) Kapcsolat a α és β:- Tudjuk, többet megtudni a tranzisztorról kattints ide Hozzászólás navigáció ← Előző cikk Következő cikk →
7. 2. 1. A tranzisztor nyitóirányú karakterisztikája 37. ábra A tranzisztor bemeneti karakterisztikája tulajdonképpen a bázis-emitterdióda nyitóirányú karakterisztikája. A bázis- emitter feszültség kis értéke mellett a bemeneti dióda lezárt állapotú, csak nagyon kis áram folyik. A feszültséget növelve a nyitófeszültség értéke fölé a dióda kinyit és a feszültség növelésével arányosan nő a bázisáram. A karakterisztikából látható, hogy a bázisáram értékét kis mértékben a kollektor-emitter feszültség is meghatározza. Nagyobb kollektor-emitter feszültség esetén a karakterisztika jobbra tolódik el, vagyis ugyanakkora bázisáram nagyobb bázis-emitter feszültségnél jön létre.
NPN BJT előrefeszített E-B csomóponttal és fordított előfeszítésű B-C csomóponttal Mi az az átütés a BJT-ben? A fordított előfeszítő konfigurációban a kollektor csomópontja megnő, az effektív bázistartomány csökken. A kollektor csomópont bizonyos fordított előfeszítésénél a kimerülési tartomány lefedi a bázist, nullára csökkentve az effektív alapszélességet. Ahogy a kollektor feszültség behatol az alapba, és az emitter csomópontnál a potenciálgát csökken. Ennek eredményeként túl nagy emitteráram folyik. Ez a jelenség Punch Through néven ismert. A bipoláris átmenet tranzisztor alkalmazásai: A BJT-nek nagyon sok alkalmazása létezik, ezek közül néhány A logikai áramkörökben BJT-t használnak. A bipoláris átmenet tranzisztort erősítőként használják. Ezt a típusú tranzisztort kapcsolóként használják. A vágóáramkörök megtervezéséhez a bipoláris átmenet tranzisztort részesítjük előnyben a hullámformáló áramkörökben. A demodulációs áramkörökben BJT-ket is használnak. A bipoláris csatlakozási tranzisztor előnyei és hátrányai: A BJT a teljesítménytranzisztorok egyik típusa.
tartalom A BJT definíciója A BJT típusai Konfigurációk Alkalmazási területek Előnyök hátrányok Különböző módok és jellemzők. A bipoláris átmenet tranzisztor meghatározása: A bipoláris átmeneti tranzisztor (más néven BJT) egy speciális félvezető eszköz, amelynek három kivezetése pn átmenetekből készül. Képesek egy jelet erősíteni, valamint áramot vezérelnek, azaz áramvezérelt eszköznek hívják őket. A három terminál a Base, Collector és Emitter. A BJT típusai: A BJT-nek két típusa van: PNP tranzisztor. NPN tranzisztor. A BJT három részből áll: emitter, kollektor és alap. Itt az emitter alapú csomópontok előre előfeszítettek, a kollektor alapú csomópontok pedig fordított előfeszítések. PNP bipoláris átmenet tranzisztor: Az ilyen típusú tranzisztorok két p-régióval és egy n-régióval rendelkeznek. Az n régió két p régió közé helyezkedik el. NPN bipoláris átmenet tranzisztor: "Az NPN tranzisztor a bipoláris átmeneti tranzisztor (BJT) egy típusa, amely három terminálból és három rétegből áll, és erősítőkként vagy elektronikus kapcsolóként is funkcionál. "